logo

2N7002K-T1-E3

Tillverkare

SILICONIX

data-sheet
Datablad
Datablad
2N7002K-T1-E3 är lämplig för användning inom industriell och konsumentelektronik, inklusive direkt logiknivågränssnitt för TTL/CMOS, drivrutiner för reläer, solenoider och solid-state reläer, samt batteridrivna system. Dess låga RDS(on) och snabba switchningsegenskaper gör den idealisk för högfrekventa kretsar.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 60 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) ytmonterad SOT-23-3 (TO-236)
N-Kanal 60 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) ytmonterad SOT-23-3 (TO-236)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 2N7002K-T1-E3 is an N-Channel MOSFET with a maximum drain-source voltage of 60V and continuous drain current of 300mA. It features low on-resistance of 2Ω, low threshold voltage of 2V (typ.), and fast switching speed of 25ns. This surface-mounted device is ideal for high-speed applications and direct logic-level interfacing.
The 2N7002K-T1-E3 is an N-Channel MOSFET with a maximum drain-source voltage of 60V and continuous drain current of 300mA. It features low on-resistance of 2Ω, low threshold voltage of 2V (typ.), and fast switching speed of 25ns. This surface-mounted device is ideal for high-speed applications and direct logic-level interfacing.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Petra eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Petra Målberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.