2N7002KQBZ
Tillverkare
NEXPERIA
Datablad
Datablad
Specifikation
Specifikation
2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 60 V 720mA (Ta) 420mW (Ta), 4.2W (Tc) ytmonterad, wettable flank DFN1110D-3.
N-Kanal 60 V 720mA (Ta) 420mW (Ta), 4.2W (Tc) ytmonterad, wettable flank DFN1110D-3.
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 2N7002KQB is a 60 V N-channel Trench MOSFET in a DFN1110D-3 (SOT8015) package. It features a maximum drain current of 720 mA and a power dissipation of 420 mW (Ta) and 4.2 W (Tc). With a low RDS(on) of 635 mΩ at VGS = 10 V, it is suitable for high-speed switching applications.
The 2N7002KQB is a 60 V N-channel Trench MOSFET in a DFN1110D-3 (SOT8015) package. It features a maximum drain current of 720 mA and a power dissipation of 420 mW (Ta) and 4.2 W (Tc). With a low RDS(on) of 635 mΩ at VGS = 10 V, it is suitable for high-speed switching applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Petra eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.K