logo

2N7002ET7G

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
2N7002ET7G är avsedd för användning i lågsidans lastbrytare, nivåskiftkretsar och DC-DC-omvandlare. Dess kompakta SOT-23-3-kapsel och låga RDS(on) gör den lämplig för portabla applikationer som digitalkameror, PDA:er och mobiltelefoner, samt för fordonsapplikationer som kräver AEC-Q101-kvalificering.
Specifikation
Specifikation
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
N-Kanal 60 V 260mA (Ta) 300mW (Tj) ytmonterad SOT-23-3 (TO-236)
N-Kanal 60 V 260mA (Ta) 300mW (Tj) ytmonterad SOT-23-3 (TO-236)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 2N7002ET7G is an N-Channel MOSFET with a maximum Drain-to-Source Voltage (VDSS) of 60V and a continuous Drain Current (ID) of 260mA at 25°C. It features low RDS(on) values, making it suitable for low side load switching and DC-DC converters. Packaged in a compact SOT-23-3 surface mount configuration, it is ideal for portable applications.
The 2N7002ET7G is an N-Channel MOSFET with a maximum Drain-to-Source Voltage (VDSS) of 60V and a continuous Drain Current (ID) of 260mA at 25°C. It features low RDS(on) values, making it suitable for low side load switching and DC-DC converters. Packaged in a compact SOT-23-3 surface mount configuration, it is ideal for portable applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gustaf eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gustaf Eriksson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.