logo

2N6045G

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
2N6045G är lämplig för industriella tillämpningar, särskilt inom allmänna förstärkare och låg hastighet switchande kretsar. Dess höga strömförstärkning och robusta spänningsklassningar gör den idealisk för effektstyrning och kontrollsystem i olika elektroniska enheter.
Specifikation
Specifikation
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolär (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 75 W Genomgående hål TO-220
Bipolär (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 75 W Genomgående hål TO-220
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 2N6045G is a NPN Darlington bipolar transistor designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. It features a collector-emitter voltage of 100 V, a continuous collector current of 8 A, and a power dissipation of 75 W. The device is housed in a TO-220 package and offers high DC current gain (hFE = 2500 typ at IC = 4.0 A) and low collector-emitter saturation voltage (VCE(sat) = 2.0 V max at IC = 3.0 A).
The 2N6045G is a NPN Darlington bipolar transistor designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. It features a collector-emitter voltage of 100 V, a continuous collector current of 8 A, and a power dissipation of 75 W. The device is housed in a TO-220 package and offers high DC current gain (hFE = 2500 typ at IC = 4.0 A) and low collector-emitter saturation voltage (VCE(sat) = 2.0 V max at IC = 3.0 A).
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Petra eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Petra Målberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.