logo

2N5192G

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
2N5192G används inom industriella och konsumentelektronikapplikationer, särskilt i effektförstärkare och switchande kretsar. Dess robusta specifikationer, inklusive en maximal kollektor-emitter-spänning på 80 V och en kollektorström på 4 A, gör den lämplig för högpresterande applikationer som kräver pålitlig drift under varierande förhållanden.
Specifikation
Specifikation
TRANS NPN 80V 4A TO126
TRANS NPN 80V 4A TO126
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Bipolär (BJT) Transistor NPN 80 V 4 A 2MHz 40 W Genomgående hål TO-126
Bipolär (BJT) Transistor NPN 80 V 4 A 2MHz 40 W Genomgående hål TO-126
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 2N5192G is a silicon NPN power transistor designed for power amplifier and switching applications. It features a collector-emitter voltage rating of 80 V, a collector current of 4 A, and a power dissipation of 40 W. The device operates at a frequency of 2 MHz and is housed in a TO-126 package, ensuring excellent thermal performance with a thermal resistance of 3.12 °C/W.
The 2N5192G is a silicon NPN power transistor designed for power amplifier and switching applications. It features a collector-emitter voltage rating of 80 V, a collector current of 4 A, and a power dissipation of 40 W. The device operates at a frequency of 2 MHz and is housed in a TO-126 package, ensuring excellent thermal performance with a thermal resistance of 3.12 °C/W.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Patrick eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Patrick Wiström
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.