logo

2ED2182S06FXUMA1

Tillverkare

INFINEON

data-sheet
Datablad
Datablad
2ED2182S06FXUMA1 används inom industriella tillämpningar som motorstyrningar, växelriktare och kraftförsörjningar. Den är lämplig för att driva IGBT:er och förbättringsläge N-kanal MOSFET:er i system som kylkompressorer, laddstationer för elfordon och hög effekt LED-belysning, vilket säkerställer pålitlig drift under högspänningsförhållanden.
Specifikation
Specifikation
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Halvbro Gate Driver IC Icke-inverterande PG-DSO-8-69
Halvbro Gate Driver IC Icke-inverterande PG-DSO-8-69
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 2ED2182S06FXUMA1 is a 650 V half-bridge gate driver IC featuring integrated bootstrap diode technology. It supports high-speed operation with a maximum output current of ±2.5 A, and operates with supply voltages from 10 V to 20 V. The device is designed for driving IGBTs and N-channel MOSFETs in various power applications, ensuring robust performance with negative voltage tolerance and independent under-voltage lockout for both channels.
The 2ED2182S06FXUMA1 is a 650 V half-bridge gate driver IC featuring integrated bootstrap diode technology. It supports high-speed operation with a maximum output current of ±2.5 A, and operates with supply voltages from 10 V to 20 V. The device is designed for driving IGBTs and N-channel MOSFETs in various power applications, ensuring robust performance with negative voltage tolerance and independent under-voltage lockout for both channels.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Gabriella eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gabriella Carlberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.