logo

2ED2109S06FXUMA1

Tillverkare

INFINEON

data-sheet
Datablad
Datablad
2ED2109S06FXUMA1 är lämplig för industriella tillämpningar, särskilt för att driva IGBT:er och förbättringsläge N-kanal MOSFET:er. Typiska tillämpningar inkluderar motorer, omriktare, kylkompressorer, batteridrivna apparater och laddstationer för elfordon. Dess robusta design säkerställer pålitlig drift i högspänningsmiljöer.
Specifikation
Specifikation
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Halvbro Gate Driver IC Icke-inverterande PG-DSO-8-53
Halvbro Gate Driver IC Icke-inverterande PG-DSO-8-53
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 2ED2109S06FXUMA1 is a 650 V half-bridge gate driver IC featuring integrated bootstrap diode technology. It supports negative voltage tolerance on inputs and operates with a supply voltage range of 10 V to 20 V. The device includes independent under-voltage lockout for both channels, high-speed output drivers, and is compatible with 3.3 V, 5 V, and 15 V logic levels. It is designed for driving IGBTs and N-channel MOSFETs in various power electronic applications.
The 2ED2109S06FXUMA1 is a 650 V half-bridge gate driver IC featuring integrated bootstrap diode technology. It supports negative voltage tolerance on inputs and operates with a supply voltage range of 10 V to 20 V. The device includes independent under-voltage lockout for both channels, high-speed output drivers, and is compatible with 3.3 V, 5 V, and 15 V logic levels. It is designed for driving IGBTs and N-channel MOSFETs in various power electronic applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Kontakta säljare
Kontakta Bengt eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Bengt Almlund
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.