logo

1N457TR

Tillverkare

ON SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
1N457TR är avsedd för allmänna tillämpningar inom konsumentelektronik, telekommunikation och industriella kretsar. Dess specifikationer gör den lämplig för likriktning, signalbehandling och skydd i olika elektroniska enheter, vilket säkerställer effektiv prestanda i olika miljöer.
Specifikation
Specifikation
DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Diode 70 V 200mA Genomgående hål DO-35
Diode 70 V 200mA Genomgående hål DO-35
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 1N457TR is a general-purpose diode with a maximum repetitive reverse voltage of 70 V and an average rectified forward current of 200 mA. It features a DO-35 axial lead package and is suitable for various electronic applications. The diode has a forward voltage drop of 1.0 V at 20 mA and a reverse leakage current of 25 nA at 60 V. Its operating junction temperature can reach up to 175 °C, making it reliable for demanding environments.
The 1N457TR is a general-purpose diode with a maximum repetitive reverse voltage of 70 V and an average rectified forward current of 200 mA. It features a DO-35 axial lead package and is suitable for various electronic applications. The diode has a forward voltage drop of 1.0 V at 20 mA and a reverse leakage current of 25 nA at 60 V. Its operating junction temperature can reach up to 175 °C, making it reliable for demanding environments.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
1N457TR finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Gustaf eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gustaf Eriksson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.