logo

1N4150TR

Tillverkare

VISHAY

data-sheet
Datablad
Datablad
1N4150TR är utformad för allmänna tillämpningar, särskilt inom dator- och industrisektorer. Dess egenskaper gör den idealisk för hög hastighetsswitching och andra elektroniska tillämpningar som kräver pålitlig diodprestanda.
Specifikation
Specifikation
DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Diode 50 V 300mA Genomgående hål DO-204AH (DO-35)
Diode 50 V 300mA Genomgående hål DO-204AH (DO-35)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 1N4150TR is a general-purpose silicon epitaxial planar diode with a maximum repetitive peak reverse voltage of 50 V and a forward current rating of 300 mA. It features low forward voltage drop and high forward current capability, making it suitable for high-speed switching applications. The diode is housed in a DO-35 (DO-204AH) package, ensuring reliable performance in various electronic circuits.
The 1N4150TR is a general-purpose silicon epitaxial planar diode with a maximum repetitive peak reverse voltage of 50 V and a forward current rating of 300 mA. It features low forward voltage drop and high forward current capability, making it suitable for high-speed switching applications. The diode is housed in a DO-35 (DO-204AH) package, ensuring reliable performance in various electronic circuits.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
1N4150TR finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Petra eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Petra Målberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.