logo

1N4007G

Tillverkare

TAIWAN SEMICONDUCTORS

data-sheet
Datablad
Datablad
1N4007G är lämplig för användning i DC till DC-omvandlare, switchade lägen omvandlare, inverterare och allmänna tillämpningar inom industriell och konsumentelektronik. Dess höga strömkapacitet och låga effektförlust gör den idealisk för effektiva energihanteringslösningar.
Specifikation
Specifikation
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Diode 1000 V 1A Genomgående hål DO-204AL (DO-41)
Diode 1000 V 1A Genomgående hål DO-204AL (DO-41)
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 1N4007G is a general-purpose diode with a maximum repetitive reverse voltage of 1000 V and a forward current rating of 1 A. It features a glass passivated chip junction, high surge current capability, and low forward voltage drop. The diode is housed in a DO-204AL (DO-41) package, ensuring high reliability and efficiency in various applications.
The 1N4007G is a general-purpose diode with a maximum repetitive reverse voltage of 1000 V and a forward current rating of 1 A. It features a glass passivated chip junction, high surge current capability, and low forward voltage drop. The diode is housed in a DO-204AL (DO-41) package, ensuring high reliability and efficiency in various applications.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
1N4007G finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Gabriella eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Gabriella Carlberg
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.