logo

1N3768R

Tillverkare

GENESIC SEMICONDUCTOR

data-sheet
Datablad
Datablad
1N3768R är lämplig för industriella tillämpningar, särskilt i strömförsörjningskretsar, motorstyrningar och andra högspänningsmiljöer. Dess robusta design och höga överbelastningskapacitet gör den idealisk för användning i system som kräver pålitlig prestanda under krävande förhållanden.
Specifikation
Specifikation
DIODE GEN PURP REV 1KV 35A DO5
DIODE GEN PURP REV 1KV 35A DO5
Detaljerad specifikation
Detaljerad specifikation
Diode 1000 V 35A Chassi, Stud Montering DO-5
Diode 1000 V 35A Chassi, Stud Montering DO-5
Beskrivning (eng)
Beskrivning (eng)
The 1N3768R is a high-performance silicon standard recovery diode designed for general-purpose applications. It features a repetitive peak reverse voltage (VRRM) of 1000 V and a continuous forward current (IF) of 35 A. The diode is housed in a DO-5 package, offering high surge capability and a wide operating temperature range of -55 to 150 °C.
The 1N3768R is a high-performance silicon standard recovery diode designed for general-purpose applications. It features a repetitive peak reverse voltage (VRRM) of 1000 V and a continuous forward current (IF) of 35 A. The diode is housed in a DO-5 package, offering high surge capability and a wide operating temperature range of -55 to 150 °C.
Tillgänglighet
Tillgänglighet
Kan beställas hos Westcomp
Kan beställas hos Westcomp
Hämta lagerstatus
Andra tillverkare
1N3768R finns även hos följande tillverkare
Kontakta säljare
Kontakta Marcus eller någon annan av våra duktiga säljare. De hjälper dig att hitta rätt servicealterntativ.
Marcus Gustafsson
Ladda upp stycklista (BOM)
Vill du skicka över en hel BOM och få en färdig offert inom några timmar? Våra säljare tar direkt hand om din förfrågan och återkopplar till dig.